Кварцевые резонаторы и генераторы
Главная » Продукция » Термостатированные генераторы (OCXO)

Термостатированные генераторы (OCXO)

Термостатированные генераторы компании Golledge содержат схему подогрева и специальный корпус, позволяющие поддерживать рабочую температуру генератора постоянной и, следовательно, получать высокую стабильность частоты. Такие генераторы позволяют получить температурную стабильность частоты от ±0.0001ppm до ±0.5ppm, тип выходного сигнала - CMOS и Sine. У большинства генераторов имеется возможность подстройки частоты управляющим напряжением или механическим способом. Данная страничка предназначена для помощи в подборе генератора по параметрам. Полная информация компании Golledge о генераторах содержится в data sheet (ссылка находится в раскрывающемся меню по наименованию). Отсутствующие в каталоге частоты предлагаем уточнять по запросу.


Диапазон частот:
от до
монтаж
Применить
  • любое значение
семейство
Применить
  • любое значение
точность настройки
Применить
  • любое значение
нестабильность частоты
Применить
  • любое значение
рабочий температурный диапазон
Применить
  • любое значение
напряжение питания
Применить
  • любое значение
функция дополнительного вывода
Применить
  • любое значение
подстройка частоты
Применить
  • любое значение
тип выходного сигнала
Применить
  • любое значение
старение
Применить
  • любое значение
температурная нестабильность частоты
Применить
  • любое значение
разъем
Применить
  • любое значение
корпус
от до мм
от до мм
от до мм
Применить
  • любое значение
стандарт
Применить
  • любое значение
отличительная особенность
Применить
  • любое значение
наличие
Применить
  • любое значение
Введите наименование Golledge для просмотра параметров:
наименование: частота:
 
Страницы: 12345...1871
▲ наименованиемонтажкорпус
(длина
ширина
высота)
тип выходного сигналанапряжение питаниярабочий температурный диапазонподстройка частотынестабильность частотытемпературная нестабильность частотыстарениеразъем наличиецена
GOXO-149/MET 10.0MHzповерхностный14.1 x 9.1 x 6.9 мм
LVCMOS3.3В-0+70°Cнет±2x10-8/при изменении нагрузки на 5%; ±2x10-8/при изменении VDD на 5%±0.1ppm±0.01ppm каждый день; ±0,3ppm в первый год
количество:
запрос
GOXO-149/MET 14.4MHzповерхностный14.1 x 9.1 x 6.9 мм
LVCMOS3.3В-0+70°Cнет±2x10-8/при изменении нагрузки на 5%; ±2x10-8/при изменении VDD на 5%±0.1ppm±0.01ppm каждый день; ±0,3ppm в первый год
количество:
запрос
GOXO-149/MET 20.0MHzповерхностный14.1 x 9.1 x 6.9 мм
LVCMOS3.3В-0+70°Cнет±2x10-8/при изменении нагрузки на 5%; ±2x10-8/при изменении VDD на 5%±0.1ppm±0.01ppm каждый день; ±0,3ppm в первый год
количество:
запрос
GOXO-149/MET 24.0MHzповерхностный14.1 x 9.1 x 6.9 мм
LVCMOS3.3В-0+70°Cнет±2x10-8/при изменении нагрузки на 5%; ±2x10-8/при изменении VDD на 5%±0.1ppm±0.01ppm каждый день; ±0,3ppm в первый год
количество:
запрос
GOXO-149/MET 25.0MHzповерхностный14.1 x 9.1 x 6.9 мм
LVCMOS3.3В-0+70°Cнет±2x10-8/при изменении нагрузки на 5%; ±2x10-8/при изменении VDD на 5%±0.1ppm±0.01ppm каждый день; ±0,3ppm в первый год
количество:
запрос
GOXO-149/MEV 10.0MHzповерхностный14.1 x 9.1 x 6.9 мм
LVCMOS3.3В-0+70°Cуправляемая напряжением±2x10-8/при изменении нагрузки на 5%; ±2x10-8/при изменении VDD на 5%±0.1ppm±0.01ppm каждый день; ±0,3ppm в первый год
количество:
запрос
GOXO-149/MEV 14.4MHzповерхностный14.1 x 9.1 x 6.9 мм
LVCMOS3.3В-0+70°Cуправляемая напряжением±2x10-8/при изменении нагрузки на 5%; ±2x10-8/при изменении VDD на 5%±0.1ppm±0.01ppm каждый день; ±0,3ppm в первый год
количество:
запрос
GOXO-149/MEV 20.0MHzповерхностный14.1 x 9.1 x 6.9 мм
LVCMOS3.3В-0+70°Cуправляемая напряжением±2x10-8/при изменении нагрузки на 5%; ±2x10-8/при изменении VDD на 5%±0.1ppm±0.01ppm каждый день; ±0,3ppm в первый год
количество:
запрос
GOXO-149/MEV 24.0MHzповерхностный14.1 x 9.1 x 6.9 мм
LVCMOS3.3В-0+70°Cуправляемая напряжением±2x10-8/при изменении нагрузки на 5%; ±2x10-8/при изменении VDD на 5%±0.1ppm±0.01ppm каждый день; ±0,3ppm в первый год
количество:
запрос
GOXO-149/MEV 25.0MHzповерхностный14.1 x 9.1 x 6.9 мм
LVCMOS3.3В-0+70°Cуправляемая напряжением±2x10-8/при изменении нагрузки на 5%; ±2x10-8/при изменении VDD на 5%±0.1ppm±0.01ppm каждый день; ±0,3ppm в первый год
количество:
запрос
GOXO-149/MFT 10.0MHzповерхностный14.1 x 9.1 x 6.9 мм
LVCMOS3.3В-20+70°Cнет±2x10-8/при изменении нагрузки на 5%; ±2x10-8/при изменении VDD на 5%±0.1ppm±0.01ppm каждый день; ±0,3ppm в первый год
количество:
запрос
GOXO-149/MFT 14.4MHzповерхностный14.1 x 9.1 x 6.9 мм
LVCMOS3.3В-20+70°Cнет±2x10-8/при изменении нагрузки на 5%; ±2x10-8/при изменении VDD на 5%±0.1ppm±0.01ppm каждый день; ±0,3ppm в первый год
количество:
запрос
Страницы: 12345...1871


Найдено результатов: 22447.

Дистрибуция электронных компонентов www.efo.ru

Конструктивы и корпуса РЭА
www.korpusa.ru

Микроконтроллеры
www.mymcu.ru

Микросхемы Altera
www.altera.ru

Источники питания
www.powel.ru

Мир беспроводных решений
www.wless.ru

Волоконно-оптические компоненты www.infiber.ru

Профессиональные усилители класса D www.sound-power.ru

Кварцевые резонаторы и генераторы www.golledge.ru

Силовая электроника
www.efo-power.ru

Контрольно-измерительные приборы www.efometry.ru

© All rights reserved. EFO Ltd.